ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。bai其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
　　SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）

SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别
2017-02-07 13:58来源：中国存储网
导读：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别，SDRAM：同步动态随机访问存储器，SRAM：静态随机访问存储器，与DDR3相比，DDR4提供更高的时钟频率和传输速率
SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别

SRAM：静态随机访问存储器

一个SRAM存储单元由4个晶体管和2个电阻器组成，利用晶体管的状态切换来存储数据，而不是电容器，因此读数据时不存在漏电问题，不需要刷新操作。但是由于SRAM需要的晶体管数多，因此成本高。

DRAM：动态随机访问存储器

一个DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成，利用电容量存储电量的多少来存储数据，由于电容器存在漏电问题，因此需要定期刷新。读数据时，电容量的电量会消失，因此每次访问之后，也需要刷新，以防止数据丢失。

SDRAM：同步动态随机访问存储器

同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。传统的DRAM在两个读周期之间需要等待一段时间，用于充电操作。而SDRAM一个模组有两个bank，在对一个bank充电时，可以操作另一个bank，实现流水线。

SDRAM的发展已经经历了五代：分别是SDR SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM。

DDR3：

2005年制造出DDR3的原型产品。2007年，市场开始使用DDR3内存芯片。

与DDR2相比，DDR3采用8bit预取，因此提供更高的传输速率(2133MT/s)；更低的工作电压（1.5V，DDR2工作电压为1.8V），另外采用了不同的封装工艺，因此能耗更低。

延迟周期同样比DDR2增长，引脚数增加。

DDR4：

2011年，samsung宣布生产出第一个DDR4内存模块。2012年，samsung、Micron等开始量产DDR4 SDRAM芯片。

与DDR3相比，DDR4提供更高的时钟频率和传输速率（4166MT/s）；更低的工作电压（1.05~1.2V），因此能耗更低。

转自中国存储网，原文链接：http://www.chinastor.com/baike/storage/020I62322017.html

Sram的好处是接口简单，速度快容易操作，用资源也比较少；sdram的最大好处是容量大，当然速度也比较快，但是接口复杂些，也耗逻辑资源多些；flash是非易失性存储器，速度慢。

目前，相同容量的SRAM价格是SDRAM的8倍左右，面积则将近大4倍，所以SRAM常用于快速存储的较低容量的RAM需求，比如Cache(缓存），比如CPU内部的L1 Cache和主板上的L2 Cache，一般只有几百K。
Flash存储器是一种可在系统进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器，在嵌入式系统中广泛应用。它在系统中通常用于存放程序代码、常量表、以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。

与Flash存储器相比，SDRAM不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于Flash存储器，因此，它在系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。

上面就是内存，接下来跟大家讲闪存，闪存的概念和硬盘差不多，就是存储数据，并且机子掉电之后存储的东西不会丢失，那ROM、FLASH和EMMC就是这种东西。

ROM：ROM又可以分为PROM（可编程ROM）、EPROM（可编程可擦除ROM）、EEPROM（电可编程可擦除ROM），感兴趣的童鞋可以自己去问度娘这些都有什么区别，其实也不用问度娘，直接从名字上就知道区别了。因为ROM整体写入时间较长，写入慢，集成度又不高，于是后面就被FLASH给替代掉了。

所以FLASH是结合了ROM和RAM的有点，不仅具备EEPROM的性能，不会丢失数据，并且可以较快速的读取数据。

这里FLASH又可以分为NOR FLASH和NAND FLASH，由于篇幅的原因，我将会在后面的博客中跟大家分享，哈哈哈哈~~~~~

EMMC：其实EMMC的出现是为了减少研发成本，加快机子上市时间而出现的。为什么？学过半导体的人都知道摩尔定律吧，现在IC发展这么快，那NAND FLASH更新换代也不用讲了，所以对于手机、机顶盒灯产品来说，对于每一次产品的研发，都要重新选型NAND FLASH，并且为了适应发展的潮流，每次选的NAND FLASH较之前版本肯定是变了不止一点，所以又要考虑各种兼容性和管理等问题，这样会大大加大研发的工作量和时间，最要命的是推迟产品的上市时间，一下可以少卖几个亿，想想真是亏大了。所以就出现了EMMC这种类似于闪存的东西，EMMC是将所有的存储器和管理NAND FLASH的控制芯片都放在一颗MCP上，而EMMC具有更快速、可升级的优点，手机、机顶盒灯厂商可以直接买来一颗EMMC放在自己的产品上使用就OK了，也没有那些繁琐的兼容性等问题，研发大佬们用起来感觉很不错！

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