一、器件数值单位换算

电容容量单位换算关系：

1法拉(F) = 1000毫法(mF) =1000000微法(μF）。

1微法(μF) = 1000纳法(nF) = 1000000皮法(pF）

电感感值单位换算关系：

1亨(H) = 1000毫亨(mH) = 1000000微亨(μH) = 1000000000纳亨(nH）

电阻阻值单位换算关系：

1欧姆(Ω)=1000豪欧(mΩ)=1000000微欧(μΩ)

二、PCB尺寸单位换算

① mm： 板厚，板尺寸 ，半固化片厚度，焊环宽度

② um： 镀铜厚，孔壁铜厚 ， 金镍厚

③ OZ： 表面铜厚，铜箔厚度

④ inch：板尺寸（大料）

⑤ mil： 线宽、线距 ，焊环宽， 孔壁铜厚

⑥ μ〃：表面涂覆层厚度（金厚，镍厚 ，银厚 等）

1mil（密耳）＝0.0254mm＝25.4um

1mil（密耳）＝25.4um＝1000μ〃

1mil（密耳）= 1/1000inch=0.00254cm=0.0254mm

1mm（毫米）＝39.37mil＝1000um 

1um（微米）＝39.37 μ〃（微英寸）

1inch（英寸）＝25.4mm＝1000mil 

1ft (英尺)  = 12 inch     

1 OZ（盎司）≈1.4mil＝0.035mm＝35um=28.35克/平方英尺

0.5OZ（盎司）≈0.7mil＝0.018mm＝18um

三、计算机单位换算

 存储单位

     位（bit）、字节（byte）、千字节（KB）、兆字节（MB）、千兆字节（吉字节）（GB）、太字节（TB）， 每个单位都是前一个单位的1024倍。

大小写严格限定，不能混用

1字节(Byte) = 8位(bit) 

1KB( 千字节) = 1024B = 1024*1024 Bytes

1MB( 兆字节) = 1024KB = 1024*1024*1024 Bytes

1GB( 吉字节）= 1024MB = 1024*1024*1024*1024 Bytes

1TB( 万亿字节) = 1024GB

1PB( 千万亿字节) = 1024TB

1EB( 百亿亿字节) = 1024PB

 厂商的换算方式：1TB=1000GB 1GB=1000MB 1MB=1000KB

容易混淆的单位

1GB = 1024M Byte；一般用于存储设备，如硬盘，内存条等

1Gb = 1024M bit=(1024Mb/8)MB=128MB；一般用于DDR颗粒

速率单位

传输速率单位换算关系：

1Mbps = 1024Kbps

1Gbps = 1024Mbps

1Tbps = 1024Gbps

1MB/s=8Mbps，1Mbps=1024Kbps=1024/8KBps=128KB/s。

PCIE速率换算

GT/s —— Giga transation per second （千兆传输/秒），即每一秒内传输的次数。重点在于描述物理层通信协议的速率属性，可以不和链路宽度等关联。

Gbps —— Giga Bits Per Second （千兆位/秒）。GT/s 与Gbps 之间不存在成比例的换算关系。

传输速率为每秒传输量GT/s，而不是每秒位数Gbps，因为传输量包括不提供额外吞吐量的开销位。

Width（带宽）：通常用x1、x2、x4、x8等表示，表示该链路由几条lane组成。

Speed（速率）：通常用2.5GT/s、5GT/s、8GT/s，表示每条lane上的传输速率。

PCIe 吞吐量（可用带宽）计算方法：

带宽=时钟频率x 时钟边沿触发数x 总线宽度x 通道数x 编码方式

 PCIe支持多Lane传输，每一个Lane由一对TX差分线对和一对RX差分线对组成。

 PCIe 1.0一条Lane有效带宽：2.5 * (8 / 10) *1= 2 Gbps / 8bit = 250 MB/s 。

 PCIe 1.0 x16条lane有效带宽：2.5 * (8 / 10) * 16 = 32 Gbps / 8bit = 4 GB/s。

四、增益（dB）倍数单位换算

分子是测试数据，分母是参考标准 

电压增益：dB = 20 lg（V1 / V2）

电流增益：dB = 20 lg（I1 / I2）

功率增益：dB = 10lg（P1/P2）

 五、频率和周期单位换算

时钟周期（clock cycle）：时钟周期是指在计算机中完成一次基本操作所需的时间单位。

频率（frequency）：频率是时钟周期的倒数，表示每秒钟的周期数。

常用F单位换算如下：

1 Hz = 1 cycle/秒，1 MHz = 1 million cycles/秒，1 GHz = 1 billion cycles/秒。

1Hz      =   每秒(s)1次            周期   =   1(s)            =   1000(ms)

10Hz    =   每秒(s)10次          周期   =   0.1(s)         =   100(ms)

100Hz   =   每秒(s)10次         周期   =   0.01(s)       =   10(ms)

1KHz     =   每秒(s)1000次    周期   =   0.001(s)     =   1(ms)

10KHz   =   每秒(s)10^4次     周期   =   0.1(ms)      =   100(us)

100KHz =   每秒(s)10^5次     周期   =   0.01(ms)    =   10(us)

1MHz     =   每秒(s)10^6次    周期   =   0.001(ms)  =   1(us)微秒

10MHz   =   每秒(s)10^7次    周期   =   0.1(us)       =   100(ns)纳秒

100MHz  =   每秒(s)10^8次   周期   =   0.01(us)     =   10(ns)

1s = 10^3ms = 10^6us = 10^9ns = 10^12ps
 

六、芯片结温的估计值Tj

1、Tj=Ta+( R θja× PD )

　　Ta = 封装的环境温度 ( º C )（ 热电偶实测芯片封装温度）;
　　R θja = P-N结至环境的热阻 ( º C / W ) （数据手册一般会提供）;
　　PD = 封装的功耗即功率 (W)  芯片功耗 = Pin-Pout

2、Tj=Tc1+( Rψjt × PD )

      Tc1封装外壳表面（型号面）温度

      R ψjt = P-N结至封装外壳表面的热阻 ( º C / W ) （数据手册一般会提供）;

θｊａ	结温（Ｔｊ）和周围温度（Ｔａ）之间的热阻
ψｊｔ	结温（Ｔｊ）和封装外壳表面温度（Ｔｃ 1）之间的热阻
θｊｃ	结温（Ｔｊ）和封装外壳背面温度（Ｔｃ 2）之间的热阻
θｃａ	封装外壳温度（Ｔｃ）和周围温度（Ｔａ）之间的热阻
Ｔｊ	结温
Ｔａ	周围温度
Ｔｃ 1	封装外壳表面（型号面）温度
Ｔｃ 2	封装外壳背面温度
Ｐd	最大容许功率