简要复习模拟电子技术_基本元器件介绍
1. 二极管二极管就是半导体材料被封装后,在PN结两端加上两个正负极引线制作而成。它具有单向导通性与伏安特性。1.1 发光二极管1.1.1 发光二极管实验如下图所示,发光二极管LED1不亮,即电路设计存在问题。要想解决这个问题,首先要知道:二极管导通后,它所分的电压值是0.7V;发光二极管导通后,它所分的电压值为1~2V,在下面的电路中,发光二极管LED1分的电压值为1.752V。若想让发光二极管
1. 二极管
- 二极管就是半导体材料被封装后,在PN结两端加上两个正负极引线制作而成。它具有单向导通性与伏安特性。
1.1 发光二极管
1.1.1 发光二极管实验
如下图所示,发光二极管LED1不亮,即电路设计存在问题。要想解决这个问题,首先要知道:
二极管导通后,它所分的电压值是0.7V;
发光二极管导通后,它所分的电压值为1~2V,在下面的电路中,发光二极管LED1分的电压值为1.752V。若想让发光二极管正常点亮,电流值应在5~20mA之间。
这时就可以发现,图中电路的电流值为4.787mA,不足5mA,因此发光二极管无法点亮。
为了让LED1点亮,要把电路的电流设计到5~20mA之内,因此我们选择10mA进行设计。
由图可知,电阻R1分得的电压为9.574V,为保证电路电流为10mA,电阻R1的阻值应为9.574/0.01 = 957.4Ω。其中电阻R1可称为限流电阻。
经过重新设计后的电路如下图所示。
图中发光二极管成功点亮。
1.1.2 总结
- 二极管导通后,它所分的电压值是0.7V。
- 发光二极管导通后,它所分的电压值为1~2V。发光二极管正常点亮时,电流值的范围为5~20mA。
- 当正向电压很小时,二极管不导通,当电压至少达到0.5V以上时,二极管导通。
- 二极管反向不导通,但是当所给的电压值超过它的反向击穿电压时,二极管也将导通。
- 应用中要注意二极管的反向最大电压值,防止二极管烧坏。
1.2 稳压二极管
- 稳压二极管就是能够稳定一定电压的二极管。
- 实施稳压的条件是:1. 工作在反向击穿状态;2. 反向电压应大于稳压电压
- 下图为稳压二极管的符号和实物。
1.2.1 稳压二极管电路分析
下图为稳压二极管的简单电路图。
- 在电路中加一个与稳压二极管串联的电阻R的原因:
假设Ui为12V,稳压二极管的稳压值为5V,那么电阻RL的阻值也为5V,由KVL:12 - 5 = 7V,那么这产生的7V就要电阻R来承担。因此,稳压二极管的电路必须有一个电阻和稳压二极管串联。 - 电阻R阻值的确定方法:
由稳压二极管的伏安特性曲线可知,若想使稳压二极管工作在稳压状态,其电流必须小于IZmax,大于IZmin,并且若想使稳压二极管工作在一个比较理想的状态下,电流的范围应该是4~8mA。据此,便可计算出R的阻值。
1.2.2 稳压二极管实验
设计稳压二极管电路如下图所示,开始仿真之后,发现发光二极管不亮,说明电路设计有问题。
添加万用表后继续仿真,仿真结果如下图所示。可以发现:稳压二极管的电流为1.777mA,未达到最优状态;发光二极管的电流为1.687mA,未达到5mA,因此发光二极管不亮。
为了解决此问题。首先对限流电阻R1的阻值进行设计,假设发光二极管的电流为10mA,因此R1阻值为3.374 / 0.01 = 337.4Ω。
再对串联电阻R2的阻值进行设计,假设稳压二极管的电流为6mA,由KCL可知,通过R2的电流为6 + 10 = 16mA,因此,R2的阻值为6.928 / 16 = 433Ω。
设计后的电路的仿真结果如下图所示。
图中发光二极管点亮。
1.2.3 总结
- 稳压二极管的使用形式为:稳压二极管和电阻进行串联。
- 稳压二极管要达到比较好的稳压效果,一定要注意稳压电流的选取。
- 在电路应用中,一定要注意串联电阻的阻值选择。
1.2.4 部分常用稳压二极管的主要参数
1.3 整流二极管
- 用于把交流电变为脉动直流电。
1.3.1 整流二极管电路分析
下图为整流二极管电路图。
下图即为整流二极管的输入波形与输出波形的对比。
1.4 开关二极管
- 是电路上为进行“开”,“关”作用而特殊设计的二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管要短。
- 在电路中主要防止反向电流烧坏一些精密器件,起到保护作用。
1.4.1 开关二极管应用电路的分析
2. 电容
- 电容是有两个电极板,和中间所夹的介质封装而成的,具有特定功能的电子器件。
- 具有旁路、去耦、滤波、储能的作用。
2.1 旁路电容的作用
- 使输入电压均匀化,减小噪声对后级的影响。
- 进行储能,当外界信号变化过快时,及时进行电压的补偿。
2.2 去耦(退耦)电容的作用
- 去耦电容和旁路电容的作用是类似的,都有滤除干扰信号的作用,只是旁路电容针对的是输入信号,而去耦电容针对的是输出信号。如下图所示。
- 去耦电容一般比较大,10μF或更大。旁路电容一般根据谐振频率,是0.1μF或0.01μF。
2.3 电容的滤波作用和储能作用
- 滤波作用:即滤除杂波,大电容滤低频,小电容滤高频。不同的电容值滤除的频率是不同的。
- 储能作用:即收集电荷。应用:例如给时钟芯片DS1302供电。
2.4 电容在电路中的连接问题
常用的电容有三种:铝电解电容、瓷片电容、独石电容。实物图如下图所示:
2.4.1 常用电容极性判断
- 铝电解电容:长脚为正极,短脚为负极。或者电容上标有银色负号的一边为负极。
- 瓷片电容和独石电容无极性,但设备生产中也有工艺要求。
2.4.2 应用中应该注意的问题
- 注意电容的耐压值。超出耐压值,可能会爆炸。
- 防止短接。短接的话可能会爆炸。
2.5 总结
- 电源上的电容作用一般是滤除电源电压的波动,小电容滤高频,大电容滤低频。并且还提供一定的电压储备,以备后续电路的需要。
- 对于一些干扰性强的环境,电容的加入可以减小很多电路控制上不必要的麻烦。
- 在使用电容时,要注意耐压值和反接的问题。
- 电容使用的取值大小可以参考别人的一些电路,很多都是工程上的一些经验。
3. 晶体三极管
- 晶体三极管是由半导体组成的具有三个电极的晶体管。
- 晶体三极管的结构图如下图所示:
- 晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。
- 它具有三种状态:放大状态、饱和状态、截止状态。
3.1 晶体三极管的三种工作状态
3.1.1 放大状态
- 放大状态即,通入电流ib时,ic = βib,ie = (1 + β)ib。
- 工作在放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏。
所谓发射结正偏,即Ub > Ue。集电结反偏,即Uc > Ub。
3.1.2 截止状态
- 截止状态即,通入电流ib时,将不会产生ic,即三极管是断开的。
- 工作在截止状态的条件:发射结反偏或两端电压为零。
即Ub < Ue或Ub = Ue时。
3.1.3 饱和状态
- 饱和状态即,当ib很大时,ie已经不受到ib的控制了。
- 工作在饱和状态的条件:发射结和集电结均为正偏。
即Ub > Ue且Ub > Uc时。
3.1.4 共射极的输入特性曲线和输出特性曲线
3.2 总结
- 放大状态:ib = (Vcc - Ube) / Rb, ic = βib, ie = (1 + β)ib。
工作状态:1. ib一定时,ic的大小受Uce影响很小。2. ic的大小主要受ib的控制。 - 截止状态:ib = 0, ic = 0, ie = ib + ic = 0。
工作状态:集电极和发射极之间相当于开路 - 饱和状态:ib和ic都很大,ic不受ib的控制,Uce很小,相当于导线。工程上,我们认为,硅饱和导通的Uce为0.3V,锗为0.1V。
3.3 三极管的主要参数
- 共射极电流放大系数β:一般为10~100倍,应用中一般取30~80为宜。因为放大系数过大,工作不稳定。
- 集电极最大允许电流ICM,如果超过ICM,将会导致三极管被烧毁。
- 集电极最大允许耗散功率PCM
- 集电极-发射极间反向击穿电压V(BR)CEO
4. 场效应管
- 场效应管是一种电压控制电流的器件。它有三个电极,栅极G,源极S,漏极D。
4.1 共源极的输入特性曲线和输出特性曲线
4.2 总结
- 可变电阻区:当UDS比较小时ID随UGS的变化而变化。
- 恒流区:ID随UDS的变化很小,随UGS的增大而增大。
- 截止区:当UGS小于开启电压时,ID等于零,场效应管不导通。
- 击穿区:当UDS增大到一定值时,场效应管被击穿,ID突然增大,如没有限流措施,管子将被烧坏。在场效应管使用中一定要注意,防止管子被击穿。
- 过损耗区:如果长时间工作在此区域,没有很好的散热措施的话,很可能由于功率较大,造成管子烧坏。所以在使用中一定要注意,管子的散热和最大功率。
4.3 三极管和场效应管的比较
4.4 场效应管的结构分类
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