晶振电路电容的选取
晶振电路的电容匹配author:oncedaydate:2022年5月9日对于常见的MCU,其晶振电路的形式基本如下:图1.1 典型的晶振电路图其中需要计算的是CL1和CL2这两个参数,它们的大小通常取为相似的。下面是一个立创商城典型的晶振,与CL1和CL2有关的是便是负载电容12pF了。[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-IRNf8m1F-1652083
晶振电路的电容匹配
author:onceday date:2022年5月9日
modified date:2022年12月21日,感谢评论老哥的提醒,最后负载电容计算公式化简错误。
对于常见的MCU,其晶振电路的形式基本如下:
图1.1 典型的晶振电路图
其中需要计算的是CL1和CL2这两个参数,它们的大小通常取为相似的。
下面是一个立创商城典型的晶振,与CL1和CL2有关的是便是负载电容12pF了。
一般而言,RF电阻,单片机内部都已经配好了,它有两个主要的作用:
- 移相,与内部的运算放大器共同移位360度,使得信号正常。
- 限流,避免晶振过驱动。
更复杂的电路还有并联电阻,可参考以下文章了解: 晶振旁的电阻(并联与串联)和电容的作用。
那么问题一般就是对 C L 1 C_{L1} CL1和CL2的计算了。
它们的作用主要把管脚两端的电容调整到负载电容大小,从而使得振荡器的工作频率调节到标称值。
一般计算公式如下:
C
L
=
C
S
+
C
I
∗
C
O
C
I
+
C
O
C_L=C_S+\frac{C_I*C_O}{C_I+C_O}
CL=CS+CI+COCI∗CO
- C I C_I CI表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容 C P C B C_{PCB} CPCB、芯片管脚寄生电容 C P I N C_{PIN} CPIN、外加匹配电容 C L 1 C_{L1} CL1,即 C I = C P C B + C P I N + C L 1 C_I=C_{PCB}+C_{PIN}+C_{L1} CI=CPCB+CPIN+CL1。
- C O C_O CO表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容 C P C B C_{PCB} CPCB、芯片管脚寄生电容 C P O U T C_{POUT} CPOUT、外加匹配电容 C L 2 C_{L2} CL2,即 C O = C P C B + C P O U T + C L 2 C_O=C_{PCB}+C_{POUT}+C_{L2} CO=CPCB+CPOUT+CL2。
- C S C_S CS为晶体两个管脚间的寄生电容,一般为1pF。
- C L C_L CL就是晶振的负载电容,如上面提到的12pF。
一般而言, C P C B + C I O C_{PCB}+C_{IO} CPCB+CIO为10pF左右,各占一半,通常估计都可以拿这个来算。如果要精确计算,最好要根据所使用的CPU或芯片的电气特性来计算。
实际使用中, C L 1 C_{L1} CL1和 C L 2 C_{L2} CL2通常取一样的值 C L 12 C_{L12} CL12。此时可简化计算。
代入上面的常用数据,可得:
C
L
=
1
p
F
+
(
10
p
F
+
C
L
12
)
×
(
10
p
F
+
C
L
12
)
2
×
(
10
p
F
+
C
L
12
)
2
C
L
=
2
p
F
+
10
p
F
+
C
L
12
C
L
12
=
2
C
L
−
12
p
F
C_L=1pF+\frac{(10pF+C_{L12})\times(10pF+C_{L12})}{2\times(10pF+C_{L12})}\\ 2C_L=2pF + 10pF+C_{L12}\\ C_{L12}=2C_L-12pF
CL=1pF+2×(10pF+CL12)(10pF+CL12)×(10pF+CL12)2CL=2pF+10pF+CL12CL12=2CL−12pF
对于常见的晶振电容负载值有:
C L C_L CL | C L 12 C_{L12} CL12 |
---|---|
20pF | 26~30pF |
16pF | 18~22pF |
12PF | 10~14pF |
注意:这几个值计算出来只是供参考,可以看到,实际使用的电容值,并不需要这么准确,而且需要根据实际测试的情况决定,但它们可用于快速确定负载电容的范围。现在一般根据芯片手册选取 C L 1 C_{L1} CL1和 C L 2 C_{L2} CL2的值即可。
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