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参考博客

（1）Flash、RAM、ROM的区别_天籁东东的博客-CSDN博客_flash和rom的区别

（2）RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介 - 存储技术 - 电子发烧友网

（3）RAM、NANDFlash、NORFlash的区别详解 - 百度文库

（4）https://www.cnblogs.com/y4247464/p/12324646.html（推荐）

（5）外存——主流的外存设备简介（SD卡、MMC卡、iNand、Nandflash等概念）

一、存储介质分类

按照存储介质的不同，将存储器分为光学存储、磁性存储、半导体存储（即电学存储）三大类。 

（1）光学存储，比如CD、DVD等存储介质。

（2）磁性存储，比如磁带、软盘、机械硬盘等存储介质。

（3）半导体存储，主要分为 RAM 和 ROM 两大类。

接下来简单介绍RAM、ROM的相关内容。

二、RAM的简介

2.1 名字与特点

RAM是“ Random Access Memory ” 的缩写，中文意思是“随机存储器”。

之所以叫随机存储器，是因为在对RAM进行数据读取或写入时，花费的时间和这段信息所在的位置或写入的位置无关（或者这样理解，“随机”是指数据不是线性依次存储的，而是自由指定地址进行数据读写）。

其特点是：速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵。

2.2 具体分类

RAM分为两大类，即 SRAM 和 DRAM。

2.2.1 SRAM 简介

（1）SRAM 是 Static RAM 的缩写，表示“静态随机存储器”。这里的“静态”，是指这种存储器只要保持通电状态，里面储存的数据就可以保持稳定，不需要像DRAM那样去刷新电路；但注意掉电时数据还是会消失的。

（2）SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备。

2.2.2 DRAM 简介

（1）DRAM是 Dynamic RAM 的缩写，表示“动态随机存储器”。这种存储器在通电的情况下，也只能将数据保持一段很短的时间，因此为了保持数据稳定，必须隔一段时间就对存储单元刷新一次，否则存储的数据就会丢失。这里的“动态”，就是指每隔一段时间刷新一次数据。

（2）其速度比SRAM慢，但它比任何的ROM都要快。

（3）SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存储器）

同步动态随机存储器，比DRAM多了一个同步。这里的“同步”是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；“动态”是指存储阵列需要不断地刷新来保证数据不丢失；“随机”是指数据不是线性依次存储的，而是自由指定地址进行数据读写。

（4）DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器）

这是目前主流的内存类型。DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM（简称DDR、DDR2、DDR3、DDR4）都属于SDRAM类型，其主要区别在于速度、容量与功耗。

三、ROM的简介

3.1 名字与特点

ROM 是“ Read-Only Memory ”的缩写，中文含义是“只读存储器”。

之所以叫“只读存储器”，是因为一般情况下只能读取而不能修改该介质里面的数据（但是按照EEPROM的描述，我觉得还是可以修改数据的，因此这句话改为“不能随意写”更为妥当）。

其特点是：掉电不丢失数据，容量大，价格便宜，存储速度不如RAM。

3.2 具体分类

早期的 ROM 分为 PROM、EPROM、EEPROM 三类，但随着技术的发展，通常将掉电后数据不会消失的半导体存储器都泛称为 ROM ，因此现在的 ROM 一般是指 EEPROM 和 FLASH 。

3.2.1 PROM 简介

（1）这里的PROM是 Programmable ROM 的缩写，表示“可编程只读存储器”。

（2）其特点是可以根据用户需求来写入内容，但是只能写一次，写之后就不能再更改。

3.2.2 EPROM 简介

（1）这里的EPROM是 Erasable Programmable Read-Only Memory的缩写，表示“可擦除可编程只读存储器”。

（2）它是PROM的升级版，可以多次编程更改，但是只能使用紫外线擦除。

3.2.3 EEPROM 简介

（1）这里的 EEPROM 是 Electrically Erasable Programmable ROM 的缩写，表示“电可擦写可编程只读存储器”。

（2）它是EPROM的升级版，可以多次编程更改，可以使用电擦除。

3.2.4 FLASH 简介

（1）FLASH 全称为“Flash Memory”，我们一般叫它“Flash存储器”，或者“闪存”。

（2）FLASH 按技术的不同，分为 NAND FlASH 与 NOR FLASH。

NOR FLASH 的读取速度比 NAND FLASH 快，但写入和擦除速度比 NAND FLASH 慢很多，擦除前需要置零，其价格比 NAND FLASH 高。

NOR FLASH 采用内存类接口，其最大的特点是它里面存储的程序可以直接运行，而不必再把代码读到系统RAM中，因此适合做代码存储并片上执行。

NAND FlASH 的读取速度比 NOR FLASH 慢，但擦除与写入速度比 NOR FLASH 快很多（但需要特殊的系统接口单元），另外存储颗粒密度也比 NOR FLASH 大，集成度高而成本低，其价格比 NOR FLASH 低，可以作为大数据的存储介质。

NAND FlASH 采用 I/O 类接口（类似于硬盘，CPU从里面读取数据的速度很慢），它里面的代码不能直接运行，需要先将 NAND FlASH 里面的数据读到内存里面，然后CPU才能执行。它属于IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件来控制读取时序，因此不能像NOR FLASH 、内存一样随机访问，不能片上执行，因此不能直接作为boot存储介质，但适合作为大数据的存储介质。

（3）FLASH结合了ROM和RAM的长处，允许电子可擦除可编程（这是EEPROM的优点），还不会断电丢失数据（这是EEPROM的优点），同时可以快速读取数据（这是RAM的优点）。

（4）其特点是掉电不丢失数据，容量大，价格便宜。

（5）FLASH存储器属于块设备，具有块、扇区这两种概念。

四、内容总结

关于RAM、ROM和FLASH的总结如下： 

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值得一提的内容：

1、在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（主要是EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来FLASH全面代替了ROM在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用。

2、FLASH属于广义上的ROM，和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区（或者叫做“页”）进行操作，以块为单位进行擦除，而EEPROM以字节为单位进行操作、进行擦除。FLASH技术简化了电路，使得数据密度更高，降低了成本。因此目前上兆的ROM一般都是FLASH。

3、NADN FLASH和NOR FLASH的关系与区别如上表所示。至于NAND FLASH和iNand的关系，可以这样理解，iNand、SD卡、MMC卡都是以NAND FLASH为原料，并遵循一些协议、添加封装以及接口而制作出来的产品，因此使用起来带有NAND FLASH的特性，隶属NAND FLASH类别。那有没有利用NOR FLASH制造出来的常用的产品呢？因为容量小，好像日常生活中没有看到，它一般用于开发板作为启动介质，因为代码程序可以直接在NOR FLASH运行。

4、FLASH存储器属于块设备，具有块（英文对应着Block）、扇区（或者叫“页”）这两种概念。

5、传统的机械硬盘（HHD）是以磁学原理存储数据的设备；固态硬盘（SSD）大部分都是基于NAND FLASH的，也有基于DRAM的；U盘是FLASH类型的存储器，应该也是基于NAND FLASH 技术。