【射频知识】Wilkinson功分器的集总形式应用
对于工程应用中,经常需要用到将射频信号进行功分的场景。对于高频宽带的射频信号,自然有大把的分布式宽带功分器芯片/裸片可供选择。但对于较低频率的射频信号,由于其波长较长,会导致分布式参数形式的功分器体积较大,使用不便。考虑到低频射频信号的功分常常是应用于参考/时钟信号的功分(此信号频率一般为1~300MHz左右),且多为点频/窄带应用。因此提出使用集总形式的窄带功分器来满足一般的应用需求。
“路线是个纲,纲举目张”
前言
对于工程应用中,经常需要用到将射频信号进行功分的场景。对于高频宽带的射频信号,自然有大把的分布式宽带功分器芯片/裸片可供选择。但对于较低频率的射频信号,由于其波长较长,会导致分布式参数形式的功分器体积较大,使用不便。
考虑到低频射频信号的功分常常是应用于参考/时钟信号的功分(此信号频率一般为1~300MHz左右),且多为点频/窄带应用。因此提出使用集总形式的窄带功分器来满足一般的应用需求。
一、电阻式功分器
先提出一共电阻式功分器形式,其主要特点为:简单,简单,简单。主要应用于对于功分损耗和隔离度要求不高(或者没有要求)的应用场景。
电阻式功分器的原理图形式如下:
三个电阻选用相同的阻值,工程应用中一般选用18Ω的电阻,仿真性能如下所示:
原理图上可以看出三端口电路完全相同,因此功分损耗=隔离度≈6.2dB,回波损耗≈34dB。此形式的电阻功分器为宽带形式,调整电阻值可以改变功分损耗和回波损耗,但一般工程应用选取18Ω电阻值。
二、Wilkinson功分器
1.二等分功分器
一个Wilkinson形式的二等分功分器原理图如下图所示:
其输入输出特性阻抗都是Z0,输入口和输出口间的分支线特性阻抗为Z1,线长为λg/4。
跨接在AB间的电阻R是为了得到2、3两口之间互相隔离的作用。当信号从1口输入时,A、B两点等电位,故R上没有电流,相当于R不起作用;而当2口有信号输入时,它就分两路达到3口。适当选择R及Δ的值,可使此两路信号互相抵消,从而使2、3两口得到隔离。R的位置与接R的引线长短有关,故Δ要调整决定。
通过奇偶模分析,易得:
Z
1
=
2
Z
0
Z_1= \sqrt2Z_0
Z1=2Z0
R
=
2
Z
0
R=2Z_0
R=2Z0
功分器两平分臂之间的距离不宜过大,一般取2~3个带条宽度即可。这样可以使跨接在两臂之间的隔离电阻寄生效应尽量减小。
2.不等分功分器
当输入功率为P1,输出功率为P2及P3,而P3=K2P2,按之前二等分功分器的原理图得到的端口阻抗将发生变化,且满足Z2=K2Z3,如下图所示。
通过奇偶模分析,易得:
Z
13
=
Z
0
K
1
+
K
2
K
Z_{13}= \frac{Z_0}{K}\sqrt{\frac{1+K^2}{K}}
Z13=KZ0K1+K2
Z
12
=
Z
0
K
(
1
+
K
2
)
Z_{12}= Z_0\sqrt{K(1+K^2)}
Z12=Z0K(1+K2)
R
=
1
+
K
2
K
Z
0
R= \frac{1+K^2}{K}Z_0
R=K1+K2Z0
由于此时Z2 = K2Z3 ≠ Z0,因此如果后级链路仍需满足特征阻抗Z0的应用,还需对阻抗进行匹配变换。
故一个功率分配比为K2:1的功分器模型如下图所示:
其中:
Z
12
=
Z
0
K
(
1
+
K
2
)
Z_{12}= Z_0\sqrt{K(1+K^2)}
Z12=Z0K(1+K2)
Z
2
b
=
Z
0
K
Z_{2b}= Z_0\sqrt{K}
Z2b=Z0K
Z
13
=
Z
0
K
1
+
K
2
K
Z_{13}= \frac{Z_0}{K}\sqrt{\frac{1+K^2}{K}}
Z13=KZ0K1+K2
Z
3
b
=
Z
0
K
Z_{3b}= \frac{Z_0}{\sqrt{K}}
Z3b=KZ0
R
=
1
+
K
2
K
Z
0
R= \frac{1+K^2}{K}Z_0
R=K1+K2Z0
三、集总参数转换
1.λg/4传输线等效模型
上述的Wilkinson功分器中,除隔离电阻外,在低频段难以应用的主要为λg/4长度传输线,因此考虑用集总参数模型替代此为λg/4长度传输线。
查阅相关资料可知λg/4长度传输线的集总参数等效模型如下图所示:
其中,各参数值可由下式得出:
L
=
Z
0
2
π
f
0
L= \frac{Z_0}{2{\pi}f_0}
L=2πf0Z0
C
1
=
C
2
=
1
2
π
f
0
Z
0
C_1=C_2= \frac{1}{2{\pi}f_0Z_0}
C1=C2=2πf0Z01
将上述的公式代入模型即可得到集总形式的Wilkinson功分器模型初值。
2.二等分功分器集总模型
原始模型:
集总参数模型:
已知
Z
1
=
2
Z
0
;
Z
0
=
50
Z_1= \sqrt2Z_0;Z_0=50
Z1=2Z0;Z0=50
根据公式可得:
L
=
Z
0
2
π
f
0
≈
50
4.44
f
0
(
H
)
L= \frac{Z_0}{2{\pi}f_0}≈ \frac{50}{4.44f_0}(H)
L=2πf0Z0≈4.44f050(H)
C
1
=
C
2
=
1
2
π
f
0
Z
0
≈
1
444.29
f
0
(
F
)
C_1=C_2= \frac{1}{2{\pi}f_0Z_0}≈\frac{1}{444.29f_0}(F)
C1=C2=2πf0Z01≈444.29f01(F)
代入f0=100MHz(常用晶振频率),将输入电容合并,可得集总参数模型初值如下图:
仿真功分损耗及隔离度如下图所示:
各端口回波损耗如下图所示:
可见集总形式的功分器在窄带/点频的性能,已经可以满足工程应用。
现将原理图中的器件值代入实际器件值后仿真结果如下图所示:
2.不等分功分器集总模型
现以一个功分比为2:1(P3=2*P2)的功分器为例进行说明。
原始模型:
集总参数模型:
已知
K
2
=
2
;
Z
0
=
50
K^2= 2;Z_0=50
K2=2;Z0=50
可得
Z
13
=
Z
0
K
1
+
K
2
K
≈
51.494
(
Ω
)
Z_{13}= \frac{Z_0}{K}\sqrt{\frac{1+K^2}{K}}≈51.494(Ω)
Z13=KZ0K1+K2≈51.494(Ω)
Z
12
=
Z
0
K
(
1
+
K
2
)
≈
102.988
(
Ω
)
Z_{12}= Z_0\sqrt{K(1+K^2)}≈102.988(Ω)
Z12=Z0K(1+K2)≈102.988(Ω)
Z
2
b
=
Z
0
K
≈
59.46
(
Ω
)
Z_{2b}= Z_0\sqrt{K}≈59.46(Ω)
Z2b=Z0K≈59.46(Ω)
Z
3
b
=
Z
0
K
≈
42.045
(
Ω
)
Z_{3b}= \frac{Z_0}{\sqrt{K}}≈42.045(Ω)
Z3b=KZ0≈42.045(Ω)
R
=
1
+
K
2
K
Z
0
≈
106.066
(
Ω
)
R= \frac{1+K^2}{K}Z_0≈106.066(Ω)
R=K1+K2Z0≈106.066(Ω)
令
f
0
=
100
M
H
z
f_0=100MHz
f0=100MHz
代入模型公式,可得:
C
12
=
1
2
π
f
0
Z
12
≈
15.454
(
p
F
)
C_{12}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{12}}≈15.454(pF)
C12=2πf0Z121≈15.454(pF)
L
12
=
Z
12
2
π
f
0
≈
163.9
(
n
H
)
L_{12}= \frac{Z_{12}}{2{\pi}f_0}≈ 163.9(nH)
L12=2πf0Z12≈163.9(nH)
C
13
=
1
2
π
f
0
Z
13
≈
30.907
(
p
F
)
C_{13}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{13}}≈30.907(pF)
C13=2πf0Z131≈30.907(pF)
L
13
=
Z
13
2
π
f
0
≈
81.956
(
n
H
)
L_{13}= \frac{Z_{13}}{2{\pi}f_0}≈ 81.956(nH)
L13=2πf0Z13≈81.956(nH)
C
22
=
1
2
π
f
0
Z
22
≈
26.766
(
p
F
)
C_{22}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{22}}≈26.766(pF)
C22=2πf0Z221≈26.766(pF)
L
22
=
Z
22
2
π
f
0
≈
94.634
(
n
H
)
L_{22}= \frac{Z_{22}}{2{\pi}f_0}≈ 94.634(nH)
L22=2πf0Z22≈94.634(nH)
C
33
=
1
2
π
f
0
Z
33
≈
37.85
(
p
F
)
C_{33}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{33}}≈37.85(pF)
C33=2πf0Z331≈37.85(pF)
L
33
=
Z
33
2
π
f
0
≈
66.92
(
n
H
)
L_{33}= \frac{Z_{33}}{2{\pi}f_0}≈ 66.92(nH)
L33=2πf0Z33≈66.92(nH)
仿真结果如下所示:
插损及隔离度:
回波损耗:
理论值:
1
/
3
=
>
−
10
l
o
g
(
1
/
3
)
=
−
4.77
1/3=> -10log(1/3)=-4.77
1/3=>−10log(1/3)=−4.77
2
/
3
=
>
−
10
l
o
g
(
2
/
3
)
=
−
1.76
2/3=> -10log(2/3)=-1.76
2/3=>−10log(2/3)=−1.76
仿真值符合理论1:2功分值,且具有较好的隔离度和回波损耗。
合并同一处的电容值后,选取合适的实际器件值,即可得到一个可实际工程应用的集总形式的1:2功分器。
总结
本文从理论计算和实际仿真设计,讲述了如何将Wilkinson功分器转换为集总形式电路,方便用于低频信号功分的工程实际应用。
文中仅对等功分的功分器和1:2的不等功分器做出了具体的介绍和求值,后续易推导出类似的宽带功分器设计。具体的理论分析,可见于各种射频微波基础或微带电路设计基础书籍中。
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