“路线是个纲,纲举目张”


前言

对于工程应用中,经常需要用到将射频信号进行功分的场景。对于高频宽带的射频信号,自然有大把的分布式宽带功分器芯片/裸片可供选择。但对于较低频率的射频信号,由于其波长较长,会导致分布式参数形式的功分器体积较大,使用不便。

考虑到低频射频信号的功分常常是应用于参考/时钟信号的功分(此信号频率一般为1~300MHz左右),且多为点频/窄带应用。因此提出使用集总形式的窄带功分器来满足一般的应用需求。


一、电阻式功分器

先提出一共电阻式功分器形式,其主要特点为:简单,简单,简单。主要应用于对于功分损耗和隔离度要求不高(或者没有要求)的应用场景。

电阻式功分器的原理图形式如下:
在这里插入图片描述
三个电阻选用相同的阻值,工程应用中一般选用18Ω的电阻,仿真性能如下所示:
在这里插入图片描述
原理图上可以看出三端口电路完全相同,因此功分损耗=隔离度≈6.2dB,回波损耗≈34dB。此形式的电阻功分器为宽带形式,调整电阻值可以改变功分损耗和回波损耗,但一般工程应用选取18Ω电阻值。


二、Wilkinson功分器

1.二等分功分器

一个Wilkinson形式的二等分功分器原理图如下图所示:
在这里插入图片描述
其输入输出特性阻抗都是Z0,输入口和输出口间的分支线特性阻抗为Z1,线长为λg/4。

跨接在AB间的电阻R是为了得到2、3两口之间互相隔离的作用。当信号从1口输入时,A、B两点等电位,故R上没有电流,相当于R不起作用;而当2口有信号输入时,它就分两路达到3口。适当选择R及Δ的值,可使此两路信号互相抵消,从而使2、3两口得到隔离。R的位置与接R的引线长短有关,故Δ要调整决定。

通过奇偶模分析,易得:
Z 1 = 2 Z 0 Z_1= \sqrt2Z_0 Z1=2 Z0 R = 2 Z 0 R=2Z_0 R=2Z0
功分器两平分臂之间的距离不宜过大,一般取2~3个带条宽度即可。这样可以使跨接在两臂之间的隔离电阻寄生效应尽量减小。

2.不等分功分器

当输入功率为P1,输出功率为P2及P3,而P3=K2P2,按之前二等分功分器的原理图得到的端口阻抗将发生变化,且满足Z2=K2Z3,如下图所示。
在这里插入图片描述

通过奇偶模分析,易得:
Z 13 = Z 0 K 1 + K 2 K Z_{13}= \frac{Z_0}{K}\sqrt{\frac{1+K^2}{K}} Z13=KZ0K1+K2 Z 12 = Z 0 K ( 1 + K 2 ) Z_{12}= Z_0\sqrt{K(1+K^2)} Z12=Z0K(1+K2) R = 1 + K 2 K Z 0 R= \frac{1+K^2}{K}Z_0 R=K1+K2Z0
由于此时Z2 = K2Z3 ≠ Z0,因此如果后级链路仍需满足特征阻抗Z0的应用,还需对阻抗进行匹配变换。

故一个功率分配比为K2:1的功分器模型如下图所示:

在这里插入图片描述
其中:
Z 12 = Z 0 K ( 1 + K 2 ) Z_{12}= Z_0\sqrt{K(1+K^2)} Z12=Z0K(1+K2) Z 2 b = Z 0 K Z_{2b}= Z_0\sqrt{K} Z2b=Z0K Z 13 = Z 0 K 1 + K 2 K Z_{13}= \frac{Z_0}{K}\sqrt{\frac{1+K^2}{K}} Z13=KZ0K1+K2 Z 3 b = Z 0 K Z_{3b}= \frac{Z_0}{\sqrt{K}} Z3b=K Z0 R = 1 + K 2 K Z 0 R= \frac{1+K^2}{K}Z_0 R=K1+K2Z0


三、集总参数转换

1.λg/4传输线等效模型

上述的Wilkinson功分器中,除隔离电阻外,在低频段难以应用的主要为λg/4长度传输线,因此考虑用集总参数模型替代此为λg/4长度传输线。

查阅相关资料可知λg/4长度传输线的集总参数等效模型如下图所示:
在这里插入图片描述
其中,各参数值可由下式得出:
L = Z 0 2 π f 0 L= \frac{Z_0}{2{\pi}f_0} L=2πf0Z0 C 1 = C 2 = 1 2 π f 0 Z 0 C_1=C_2= \frac{1}{2{\pi}f_0Z_0} C1=C2=2πf0Z01
将上述的公式代入模型即可得到集总形式的Wilkinson功分器模型初值。

2.二等分功分器集总模型

原始模型:
在这里插入图片描述集总参数模型:
在这里插入图片描述

已知
Z 1 = 2 Z 0 ; Z 0 = 50 Z_1= \sqrt2Z_0;Z_0=50 Z1=2 Z0Z0=50
在这里插入图片描述
根据公式可得:
L = Z 0 2 π f 0 ≈ 50 4.44 f 0 ( H ) L= \frac{Z_0}{2{\pi}f_0}≈ \frac{50}{4.44f_0}(H) L=2πf0Z04.44f050H C 1 = C 2 = 1 2 π f 0 Z 0 ≈ 1 444.29 f 0 ( F ) C_1=C_2= \frac{1}{2{\pi}f_0Z_0}≈\frac{1}{444.29f_0}(F) C1=C2=2πf0Z01444.29f01F
代入f0=100MHz(常用晶振频率),将输入电容合并,可得集总参数模型初值如下图:
在这里插入图片描述

仿真功分损耗及隔离度如下图所示:

在这里插入图片描述

各端口回波损耗如下图所示:
在这里插入图片描述

可见集总形式的功分器在窄带/点频的性能,已经可以满足工程应用。
现将原理图中的器件值代入实际器件值后仿真结果如下图所示:
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

2.不等分功分器集总模型

现以一个功分比为2:1(P3=2*P2)的功分器为例进行说明。

原始模型:
在这里插入图片描述
集总参数模型:
在这里插入图片描述
已知
K 2 = 2 ; Z 0 = 50 K^2= 2;Z_0=50 K2=2Z0=50
可得
Z 13 = Z 0 K 1 + K 2 K ≈ 51.494 ( Ω ) Z_{13}= \frac{Z_0}{K}\sqrt{\frac{1+K^2}{K}}≈51.494(Ω) Z13=KZ0K1+K2 51.494Ω Z 12 = Z 0 K ( 1 + K 2 ) ≈ 102.988 ( Ω ) Z_{12}= Z_0\sqrt{K(1+K^2)}≈102.988(Ω) Z12=Z0K(1+K2) 102.988Ω Z 2 b = Z 0 K ≈ 59.46 ( Ω ) Z_{2b}= Z_0\sqrt{K}≈59.46(Ω) Z2b=Z0K 59.46Ω Z 3 b = Z 0 K ≈ 42.045 ( Ω ) Z_{3b}= \frac{Z_0}{\sqrt{K}}≈42.045(Ω) Z3b=K Z042.045Ω R = 1 + K 2 K Z 0 ≈ 106.066 ( Ω ) R= \frac{1+K^2}{K}Z_0≈106.066(Ω) R=K1+K2Z0106.066Ω


f 0 = 100 M H z f_0=100MHz f0=100MHz
代入模型公式,可得:
C 12 = 1 2 π f 0 Z 12 ≈ 15.454 ( p F ) C_{12}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{12}}≈15.454(pF) C12=2πf0Z12115.454pF L 12 = Z 12 2 π f 0 ≈ 163.9 ( n H ) L_{12}= \frac{Z_{12}}{2{\pi}f_0}≈ 163.9(nH) L12=2πf0Z12163.9nH C 13 = 1 2 π f 0 Z 13 ≈ 30.907 ( p F ) C_{13}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{13}}≈30.907(pF) C13=2πf0Z13130.907pF L 13 = Z 13 2 π f 0 ≈ 81.956 ( n H ) L_{13}= \frac{Z_{13}}{2{\pi}f_0}≈ 81.956(nH) L13=2πf0Z1381.956nH C 22 = 1 2 π f 0 Z 22 ≈ 26.766 ( p F ) C_{22}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{22}}≈26.766(pF) C22=2πf0Z22126.766pF L 22 = Z 22 2 π f 0 ≈ 94.634 ( n H ) L_{22}= \frac{Z_{22}}{2{\pi}f_0}≈ 94.634(nH) L22=2πf0Z2294.634nH C 33 = 1 2 π f 0 Z 33 ≈ 37.85 ( p F ) C_{33}=\frac{1}{2{\pi}f_0Z_{33}}≈37.85(pF) C33=2πf0Z33137.85pF L 33 = Z 33 2 π f 0 ≈ 66.92 ( n H ) L_{33}= \frac{Z_{33}}{2{\pi}f_0}≈ 66.92(nH) L33=2πf0Z3366.92nH
仿真结果如下所示:

插损及隔离度:
在这里插入图片描述回波损耗:

在这里插入图片描述

理论值:
1 / 3 = > − 10 l o g ( 1 / 3 ) = − 4.77 1/3=> -10log(1/3)=-4.77 1/3=>10log(1/3)=4.77 2 / 3 = > − 10 l o g ( 2 / 3 ) = − 1.76 2/3=> -10log(2/3)=-1.76 2/3=>10log(2/3)=1.76
仿真值符合理论1:2功分值,且具有较好的隔离度和回波损耗。

合并同一处的电容值后,选取合适的实际器件值,即可得到一个可实际工程应用的集总形式的1:2功分器。


总结

本文从理论计算和实际仿真设计,讲述了如何将Wilkinson功分器转换为集总形式电路,方便用于低频信号功分的工程实际应用。

文中仅对等功分的功分器和1:2的不等功分器做出了具体的介绍和求值,后续易推导出类似的宽带功分器设计。具体的理论分析,可见于各种射频微波基础或微带电路设计基础书籍中。

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