一.Flyback基本拓扑

国标gb/t 12325-2008《电能质量供电电压偏差》规定：220v单向供电电压偏差为标称电压的-10%，+7%。

对应220V的标称电压，其浮动范围是在198~235.4V。以下运算均基于此规定进行。

首先220V进入EMI模块，消除差模干扰，共模干扰，限流保护，吸收浪涌等等，后面计算再详细说明。

反激的难点无非就是错把变压器当成真正的变压器来设计，实际上是一个具有若干绕组的电感罢了。

1.当MOS管导通时，全桥整流加电容滤波输出310V直流电（220*sqrt(2)）,对原边电感进行充电，流经电感的电流线性增加，此时原边电感感应出上正下负的电压，由于互感，副边线圈会感应出上负下正的电压，由于二极管的单向导电性，副边只有电压没有电流。

2.当MOS管由导通到关闭瞬间时，由于流经电感的电流不能突变，此时原边电感感应出上负下正的电压阻碍电流的变化，由于互感，副边线圈会感应出上正下负的电压，给电容充电和给负载供电。
 

二.逆向

略，大概就是逆向出大概的原理图，仍然存在元器件放置错误，参数错误等问题。

三.模块化思想

核心就是梳理原理图，理清每一部分原理图的功能，元器件为什么放在这，有什么作用？以及一部分参数的确定。

1.EMI模块和全桥整流

2.基本拓扑

3.RCD

4.反馈回路

5.电压模式/电流模式

6.芯片外围电路

四.初步计算

EMI模块和全桥整流计算

主要阐述作用，技术参数，计算，补充说明

1.保险丝

作用：在电源出现异常时，保护核心器件不受到损坏。

技术参数：额定电压V、额定电流I、熔断时间。

计算：

补充说明：快断、慢断、常规、自恢复

额定电压指的是熔断后的耐压，一般我选取的时候大于工作电压，再留点冗余就可以

2.MOV

作用：压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间时，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。（过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等）

主要还是说并联分流，由于MOV一般是最短回路，加上阻值最低，所以会泄放掉大部分能量。

技术参数：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

计算：

这里我选取的时候，是元器件V1ma大于计算的；元器件的最大工作电压大于实际工作电压。

补充说明：压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管（瞬间抑制二极管）稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护，其响应速度可以满足电路要求。

参数可以看一看下面的手册

3.X电容及泄放电阻

作用：X电容是指跨与L-N之间的电容器，X电容主要用来抑制差模干扰

技术参数：

计算：

补充说明：

4.共模电感

作用：共模电感有A和B两个电感线圈绕在同一铁芯上，匝数和相位都相同(绕制方向相反)。当电路中的正常电流（差模电流）流经共模电感时，电流在同相位绕制的电感线圈中会产生反向的磁场而相互抵消，此时正常信号电流主要受线圈电阻的影响(和少量因漏感造成的阻尼)；当有共模电流流经线圈时，由于共模电流的同向性，会在线圈内产生同向的磁场而增大线圈的感抗，使线圈表现为高阻抗，产生较强的阻尼效果，以此衰减共模电流，抑制高速信号线产生的电磁波向外发射，达到滤波的目的。

技术参数：

计算：

补充说明：饱和电流，温升电流，DCR

其实最主要防止的还是你的设备污染电网

5.Y电容

作用：Y电容是指跨与L-G/N-G之间的电容器，Y电容主要用于抑制共模干扰

技术参数：

计算：

补充说明：

6.整流桥

作用：

技术参数：反向耐压、电流、导通压降、功率耗散

计算：

补充说明：耐电流计算中的5倍可以放宽到2倍，原则上是3~5倍之间。

7.NTC

作用：电阻值随温度升高而降低且呈现非线性变化。可以有效的抑制电路开机时产生的浪涌电压形成的浪涌电流。当电路进入稳态工作时，由于线路中的持续工作电流引起NTC发热，使得电阻器的电阻值变得很小，对线路的影响可以完全忽略。

技术参数：25度时电阻值、B常数

计算：

补充说明：

8.输出滤波电容

作用：

技术参数：

计算：

补充说明：2~3uf/W 全波整流 198~235.4V

反激变压器计算

首先弄明白到底要算什么

七步设计反激变换器

1.明确输入参数

DCM Mode Kfr=1;CCM Mode Kfr=0.4;

2.计算原边电感和匝数比

3.MOSFET的选择

4.副边二极管的选择

5.输出电容滤波器的选择

6.AP法加功率选择磁芯

7.原边和副边匝数，辅助绕组

8.原边和副边及辅助绕组线径

9.RCD缓冲器的计算

更正：ΔVC=0.01,上面说的VC*0.1是不对的

五.难点电路及分析

1.原边和副边之间为什么并联电容？

因为原边和副边之间存在共模干扰，原边的干扰会通过寄生电容传入副边，所以并联电容目的是把传入副边的共模干扰，提供一个最短回路，将干扰传回原边。同样原边和市电的地也要串一个电容，即把所有干扰回流到大地。

值得一提的是，EMC传导骚扰实验中，这个最短回路其实是为了规避LISN检测。

2.加电和断电时的受控操作？

如图，310V直流电通过电阻分压给芯片UC2844 VCC引脚供电，用来提供初始时芯片的供电。但是实际上根据电阻的分压比可知给VCC的电压为72V，实际上电容E6耐压是35V，不会击穿嘛？

实际上7脚充电电容25-50V 耐压就够了， 因为充电电流跟不上芯片耗电电流，所以VCC电压不会升的很高。310*200/262=235.8V      235.8/200=1.2mA

同样芯片供电还是需要辅助绕组提供。它只是一个提供启动的作用。

3.RCD尖峰是怎么来的，其中是谁和谁谐振？

4.既然Flyback计算是以最小输入电压和最大占空比满功率运行，那么BUCK的电感选择是怎样的？

5.TL431R和K之间的电容是干嘛的？改变输出时都要调节哪些参数？

6.UC2844频率问题？

尽管芯片配置的是240KHZ

但是实际上芯片内部由一个上升沿的T触发器，所以实际的开关频率是要减少一半的

7.峰值电流控制法？

略

8.差模干扰和共模干扰时怎么来的？

略，可以看看其他文章，讲的都不错。

9.COMP缓启动是怎么实现的？

Vref在UC2844内部实际上是5V基准源，启动时，通过二极管对电容充电，通过RC来延时启动时间，防止浪涌或者其他干扰，导致误动作。

当后级过压，COMP被拉到地时，由于之前充电要减去压差，所以电容就相当于被钳位住了，电容的残压就不会对反馈调节产生影响，就是快关断。

10.clc滤波器中电感的选型？

略

11.假负载问题

反激变换器需要增加假负载，从学术上是因为反激变换器的输出是电流源特性，不能开路工作，否则会积聚过多的能量，导致输出电压飙升。(安匝比守恒)

12.斜坡补偿问题

这个有争议的，具体可以看看其他文章，讲的都不错。

13.副边反激二极管RC滤波，滤除的是什么？

本质上还是滤除由于MOS管闭合到导通瞬间的时二极管反向漏电流（提供一个回路分流，因为小电容在高频信号下等效为小电阻）以及可能后级电感自感作用会产生反向电压。

14.浪涌电流？

由于电容特性决定的，因为I=C* d(u)/d(t),C是固定的假设一秒内，电容冲到310V，那么I电流也很大了。所以电容起始状态是近乎于短路的，这就会造成浪涌。

实际上电容容值越小，冲的越快，浪涌电流越大（寄生电容,X电容）