(十七) 基于cadence 617 bandgap 简单设计
从扫描三级管的温度曲线出发,求达到零温度系数的电阻比例,再去仿真MOS管的节点电压来确定放大的输入输出,综合一起仿真,进行微调,得到零温度曲线
目录
一、设计要求
L A B : V r e f = 1.2 o r 0.8 , ∂ V r e f ∂ T ∣ T = 60 ° = 0 , I D 4 = 10 u LAB :V_{ref} = 1.2 \,or\,0.8 ,\frac{\partial V_{ref}}{\partial T} \small \mid T=60°=0,I_{D4} = 10u LAB:Vref=1.2or0.8,∂T∂Vref∣T=60°=0,ID4=10u
二、原理图分析
∣
I
D
4
∣
=
V
T
ln
n
R
1
+
∣
V
B
E
1
∣
R
2
=
1
R
2
(
∣
V
B
E
1
∣
+
R
2
R
1
V
T
ln
n
)
\begin{aligned}\left|I_{D 4}\right| & =\frac{V_{T} \ln n}{R_{1}}+\frac{\left|V_{B E 1}\right|}{R_{2}} \\& =\frac{1}{R_{2}}\left(\left|V_{B E 1}\right|+\frac{R_{2}}{R_{1}} V_{T} \ln n\right)\end{aligned}
∣ID4∣=R1VTlnn+R2∣VBE1∣=R21(∣VBE1∣+R1R2VTlnn)
V
B
G
=
R
4
R
2
(
∣
V
B
E
1
∣
+
R
2
R
1
V
T
ln
n
)
V_{B G}=\frac{R_{4}}{R_{2}}\left(\left|V_{B E 1}\right|+\frac{R_{2}}{R_{1}} V_{T} \ln n\right)
VBG=R2R4(∣VBE1∣+R1R2VTlnn)
三、三极管温度特性
1. 电路图
2. 仿真 ∂VBE1,∂VBE2,∂ΔVBE
运用 deriv 函数 添加 VBE1 ,VBE2 的斜率到输出,再添加 ΔVBE 的斜率
∂VBE1 肯定比 ∂VBE2 要大,这样 ∂ΔVBE 才会为正
三、计算电阻值
用 (1) 可以算出 R1 / R3 = 9.47(使左边为 0 达到 0 温度系数)
∂
V
out
∂
T
=
∂
V
B
E
1
∂
T
+
(
k
q
ln
n
)
R
1
R
3
(
1
)
=
∂
V
B
E
2
∂
T
+
(
k
q
ln
n
)
(
1
+
R
1
R
3
)
\begin{aligned}\frac{\partial V_{\text {out }}}{\partial T} & =\frac{\partial V_{B E 1}}{\partial T}+\left(\frac{k}{q} \ln n\right) \frac{R_{1}}{R_{3}} \,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,(1)\\& =\frac{\partial V_{B E 2}}{\partial T}+\left(\frac{k}{q} \ln n\right)\left(1+\frac{R_{1}}{R_{3}}\right)\end{aligned}\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,
∂T∂Vout =∂T∂VBE1+(qklnn)R3R1(1)=∂T∂VBE2+(qklnn)(1+R3R1)
上面求得
∂
V
B
E
1
∂
T
∣
T
=
60
°
=
−
1.7
m
V
/
°
C
,
∂
V
B
E
∂
T
∣
T
=
60
°
=
179
u
V
/
°
C
\frac{\partial V_{BE1}}{\partial T} |_{T=60°} = -1.7mV/°C,\frac{\partial V_{BE}}{\partial T} |_{T=60°} = 179uV/°C
∂T∂VBE1∣T=60°=−1.7mV/°C,∂T∂VBE∣T=60°=179uV/°C
当 R1 / R3 = 9.47 温度系数为 0,对应现在电路图 R2 / R1 = 9.47
V
B
E
=
0.7
V
,
V
T
=
26
m
V
,
l
n
8
=
2.1
V
I
D
4
=
1
R
2
(
0.736
V
+
9.47
×
54.65
m
V
)
=
10
u
⟹
R
2
=
124.8
K
⟹
R
1
=
13.18
K
V_{BE} = 0.7\,V,V_T = 26\,mV,ln8=2.1V \\I_{D4}=\frac{1}{R_2}\left(0.736V+9.47\times 54.65mV \right)=10u \\\Longrightarrow R_2 = 124.8K \\\Longrightarrow R1= 13.18K
VBE=0.7V,VT=26mV,ln8=2.1VID4=R21(0.736V+9.47×54.65mV)=10u⟹R2=124.8K⟹R1=13.18K
四、扫描MOS曲线
从三极管的温度曲线仿真得 VEB1 = 0.736V ,即输入共模电平为 0.736V,输出可以通过MOS管仿真得到为 1.565V
五、OP 设计
V i n = 0.736 V , V D D = 2.5 V , V O U T = 1.565 V , A V = 60 d B 左右 V_{in} = 0.736V ,V_{DD} = 2.5 V,V_{OUT} = 1.565V,A_{V}=60 dB左右 Vin=0.736V,VDD=2.5V,VOUT=1.565V,AV=60dB左右
1. OP电路图
2. 测试电路
3. op直流仿真
六、添加OP去BG电路
1. BG直流仿真
VBE的值没有达到我们的预期736mV,OP的输出也增大一点
2. 查看温度曲线
3. 调节温度系数和电流
调节 R2 与 R1 可以调节温度特性,也可以调节电流大小,减少R2提高电流,R3相应比例变化
R3 = R4 = 121.55K ,R2 = 12.855K
七、仿真
1. 直流仿真
在60°电压将不受温度影响
2. 稳定性仿真
相位裕度太低了,加一个补偿电容,米勒补偿效果并不是很好,其实调节gm1更加有效,可以使得第二极点变大
3. 添加启动电路
4. 上电仿真
七、总结
这个只是简单的进行了设计,有很多地方有待优化,放大器的增益与相位裕度,偏置电路,启动电路都有待优化。
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