5、HFSS的激励方式
1、引入HFSS中,激励是一种定义在三维物体表面或者二维物体上的激励源,这种激励源可以是电磁波激励、电压源或者电流源。激励端口是一种允许能量进入或流出几何结构的特殊边界条件类型。所有的激励类型都可以用来计算场分布,但是只有波端口激励、集总端口激励和Floquet端口激励可以用来计算S参数。2、激励的设置步骤三维模型窗口点击右键,右键弹出菜单中选择Assign Excitation3、激励的分类(1
1、引入
HFSS中,激励是一种定义在三维物体表面或者二维物体上的激励源,这种激励源可以是电磁波激励、电压源或者电流源。激励端口是一种允许能量进入或流出几何结构的特殊边界条件类型。所有的激励类型都可以用来计算场分布,但是只有波端口激励、集总端口激励和Floquet端口激励可以用来计算S参数。
2、激励的设置步骤
三维模型窗口点击右键,右键弹出菜单中选择Assign Excitation
3、激励的分类
(1)波端口激励(Wave Port)
默认的情况下,所有三维物体和背景之间的接触面都是理想的导体边界,没有能量可以进出。波端口设置在背景面上,用作模型的激励源并提供一个能量进入/流出的窗口。
①波端口激励——模式(modes)
默认情况下,HFSS只计算主模,即模式1。但是某些情况下,计算中包含高阶模式的影响是必须的。
②波端口激励——端口校准
波端口必须被校准以确保一致的结果。
校准的目的有两个:确定场的方向、设置电压积分路径(求解特性阻抗时需Zpi/Zpu/Zui,需要知道电压的积分路线。)
③波端口激励——S参数的归一化
归一化S参数:在实验测量(如矢量网络分析仪)和电路仿真器(如ADS, Ansoft Designer)使用的特性阻抗通常是常数(如50欧姆),为了使HFSS计算结果和实验测量或电路仿真结果保持一致,HFSS计算得出的广义S参数必须用常数特性阻抗(如50欧姆)进行归一化。
④波端口激励——端口平移(Deembed)
De-embed功能是指平移端口的位置,查看其对计算结果的影响;选中使用端口平移功能,只影响数据后处理,HFSS不会重新进行仿真计算。HFSS端口平移中的正数表示参考平面向模型内部移动,负数则是向外延伸。
r1:端口1传播常数,l1:端口1平移距离
⑤波端口激励——终端线(Terminal)
Tools→Option→HFSS Option→√Auto-assign terminals on ports(自动设置终端线),当然之后需要指定传输线和参考地(GND)(默认)。
⑥波端口激励——端口尺寸估计
<1>对于波导或同轴线这类横截面闭合的器件,端口截面四周都是导体,波端口直接定义在其终端横截面即可。
<2>对于微带线、带状线、共面波导等开放或半开放结构的传输线,电磁场并不完全束缚在导体和参考地之间,部分电磁能量会辐射到传输线四周的空气和介质中,此时设置的波端口需要有足够大的尺寸,以避免电场耦合到波端口边缘上,影响传输线的特性,进而影响到计算的准确性。
微带线
波端口下边缘与微带线参考地重合,波端口高度通常是根据介质层厚度来确定,一般取介质层厚度的6~10倍,波端口宽度一般由介质层厚度h和微带线宽度来决定(w>h时取10w,w<h时取5w或者3h~4h)
带状线
对于带状线只需要确定波端口宽度即可,波端口上下边缘必须与上下两个参考地重合。波端口宽度同样也是由介质层厚度h和带状线宽度w来共同决定(w≥h时取8w,w<h时取5w或3h~4h)
槽线
对于槽线结构,金属层及缝隙一般位于波端口中央。介质层厚度为h,缝隙宽度为g,那么波端口高度一般取4h和4g两者中的较大者,波端口宽度一般取>7倍的缝隙宽度(即左右各3g,中间1g)
共面波导
对于共面波导结构必须设置在波端口中央,假设共面波导的介质层厚度为h,缝隙宽度为g,金属层宽度为s,那么波端口高度取4h和4g的较大者,波端口宽度取10g和10s的较大者
注:端口尺寸需小于1/2个工作波长,否则会激发矩形波导模式,影响结果的准确性。
(2)集总端口激励(Lumped Port)(只设置于模型内部)
①端口大小直接与微带线相同尺寸,无须考虑微带线尺寸
②集总端口类似于传统的波端口,与波端口不同的是集总端口可以设置在物体模型内部,且用户需要设定端口阻抗;集总端口直接在端口处计算S参数,设定的端口阻抗即为集总端口上S参数的参考阻抗;另外集总端口不计算端口处的传播常数,因此根据集总端口无法进行端口平移操作。
(3)Floquet端口激励
①只有模式驱动求解类型(Modal Driven Solution)的设计可以使用Floquet端口
②Floquet端口不支持快速扫频方式,可以支持离散扫频和插值扫频方式
③Floquet端口的四周必须与主从边界条件相连
4、激励的设置
(1)波端口激励设置
对于HFSS中的模式驱动和终瑞驱动这两种不同的求解类型,波端口激励的设置过程也是不同的,这里就模式驱动和终端驱动两种情况分别进行讲解。
①模式驱动 工程设计含有(DrivenModal)
(以矩形波导为例)
面选→Assign Excitation→Wave port
Name:P1
Number of Modes:需要求解的模式数(只求主模=1)
Integration Line:设置积分校准线→下拉选择New Line(下表面边缘中点→上表面边缘中点)
Port Renormalization:是否归一化,Renormalize All Modes选择归一化,阻抗一般设置50,即对50欧姆进行阻抗归一化
Deembed Settings:是否端口平移,正内负外
若需要修改则直接双击左侧P1
②终端驱动(以微带线结构为例)
步骤:
①设置为终端驱动
HFSS→Solution Type→Driven Termind
②确定端口尺寸(波端口的宽度和高度)
(1)微带线宽度Microstrip1→CreatBox
XSize=0.1mm→波端口宽度=0.5mm
(2)介质层厚度Sub→CreatBox
ZSize=0.2mm→波端口高度=1.2mm
③添加矩形面
切换ZX面
底面与参考地重合,创建一个大概的矩形面
右键→Assign Excitation→Wave Port
Port Name:P1
Terminal Naming:
√Use conductor name使用导体名称作为终端线名称
√Use port object name使用端口名称作为终端线名称
Use as Reference选择参考地GND
(2)集总端口激励设置
①模式驱动
(1)切换ZX面
(2)局部放大显示
(3)集总端口上下边缘分别与参考地和传输线相接,宽度与传输线宽度一致。
(4)选中此面→右键Assign Excitation→Lumped Port
Name:P1
Pull port Impedance:设置波端口阻抗
Resistance:电阻值(设置为50欧姆即为集总端口上S参数的参考阻抗)
Reactance:电抗值
Integration Line→New Line设置端口积分校准线
归一化阻抗:50欧姆
删除端口激励:点一下P1+×
②终端驱动
(1)设置为终端驱动
HFSS→Solution Type→Driven Termind
(2)选中面+右键Assign Excitation→Lumped Port
5、对比波端口与集总端口(设置几乎相同)
①主要区别在于端口平面大小不同
波端口较大,集总端口较小
②波端口于模型外表面,集总端口于模型内表面
③波端口可计算高次模,集总端口不能计算高次模(与传输线个数有关)
④波端口可以使用端口平移功能,集总端口不能使用平移功能
⑤二者都可以进行S参数归一化处理
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