逻辑门电路简称门电路。逻辑门就是在前一节里面介绍过的,用来进行逻辑运算的电子器件。
分立原件当然也可以搭建一个门电路,但是有亿点原始,所以这里就不介绍了。目前比较流行的还是CMOS门电路。咳,CMOS是互补(Complement)MOS的意思。
除此之外,上一个时代也流行过TTL门电路,也就是三极管构成的门电路。

数字电路的稳定性

数字电路比模拟电路稳定,想一想做模电实验的时候各种花屏的示波器就能感觉到了。而数字电路,容许几十亿上百亿晶体管同时工作。数字电路的稳定性主要有以下两个原因:

  • 数字信号存在缓冲区
    在这里插入图片描述
    落在缓冲区里面的电压信号,都会被正确识别为0和1,这样就规避了一定程度的干扰。
  • 数字器件是个好人
    数字器件具有两个特征:
    1.可以容许低质量的输入,也就是前面说的存在缓冲区。
    2.能够保证高质量的输出。也就是不计较输入质量怎么样,自己要输出高质量的01.

逻辑

正逻辑:高电平1 低电平0
负逻辑:高电平0 低电平1
对于不同的电路,高低电平的定义也会有不同的范围。

二极管门电路

基本原理

这里应该要回顾一点模电的知识,先做一道题吧:(二极管采用恒压降模型)
在这里插入图片描述
试问这个Y应该是多少电压呢?两个二极管共阳极,阴阳两极电势差大的管子优先导通,也就是阴极0V的三极管,导通后Y被钳位至0.7V,此时另一个三极管就无法导通了。这就是基本的原理。

二极管与门

在这里插入图片描述看到这个电路很眼熟了吧。我们这次倒过来分析。如果要Y输出高电平,也就是两个三极管都不允许导通,那么也就是A和B的输入都要高于4.3V,按照之前树立的规矩,AB就输入高电平。因此在这里,AB同时为高电平的时候,Y输出高电平。
如果AB之中有任意一个输入了低电平(0.3V),那么Y就被钳位到1V,输出低电平。这样就构成了逻辑与门。

二极管或门

在这里插入图片描述
分析方法也完全一样。如果要Y输出一个高电平,不仅要求AB之中的一个导通,而且还必须用高电平导通。也就是AB之中出现一个高电平时,Y输出高电平。当AB都是低电平,Y输出低电平。

二极管门电路的特性

  • 电平有偏移:与门输入两个低电平0.3V,输出虽然是低电平,但偏移到了1V;或门输入两个高电平5V,输出虽然是高电平,但偏移到了4.3V。
  • 带负载能力弱:电阻画得多显眼,它拖累带负载的能力就有多强

也正是如此,二极管构成的逻辑电路只用于IC内部

TTL门电路

首先考虑一下电路的基本原理。本质上是两个开关:
在这里插入图片描述
前面根据输入的AB产生一个控制信号,控制两个开关之中的一个,将Y接通到高电平或者低电平。这里使用三极管来充当这两个开关。(当然前面产生控制信号的部分也是三极管)
想象一下三极管的输出特性曲线。非常贴近X轴的叫做截止区。IC很小而UCE可以很大,几乎相当于CE之间开路,可以用来做断开的开关。非常贴近Y轴的叫做饱和区。UCE很小但是IC可以很大,几乎相当于CE之间短路,可以用来做接通的开关。

三极管反相器

在这里插入图片描述
首先看这个电路,基本共射放大电路(bushi)
使用模电的知识可以很容易知道A和Y是相反的关系。这里回来插一嘴,模电中,如果A是+那么Y就是-,并不是它真的电位低于0电位,而是说输出的这个交流信号,是-,总体来说,因为还要叠加一个直流信号,Y的电位仍然是正的。数字电路里面出现小于零的电压,可不能处理。
让A输入低电平,0.3V,那么发射结虽然正偏但是不足以开启,整个三极管处于截止状态,IC很小因此RC基本不降落电压,输出Y为高电平。
让A输入高电平,5V,那么发射结正偏,用模电设置静态工作点的方法去计算,因为IC很大所以RC上面降落很多电压,输出Y为低电平。
在这里插入图片描述
这是之前电路的一个改进型。如果输入A是一个稍微质量不那么高的0,比如1V,那么按照原来的电路,仍然足够接通发射结,造成输出错误。所以这里把UB下拉,使得输入一个稍微高一点的0,也是没问题的。

TTL反相器

原理是这个原理,但是模拟味太浓了。一不小心就会输出到无效区,所以还要进一步改进。

原理分析

在这里插入图片描述
首先从需求入手,如果要Y输出高电平,那么T5管需要截止,T4管饱和导通,把VCC接到Y上。如果要Y输出低电平,那么T5需要饱和导通,T4、D2至少要有一个截止。明确输出状态之后,再根据输入研究输出:
强烈建议这里不要把T1当作一个三极管。所以这个电路还可以这样画:(也就是把集电结和发射结单独使用二极管来表示)
在这里插入图片描述
当输入低电平0.3V的时候:T1e导通,将T1管基极电位钳位到1V。T5、T2、T1c要全部导通,至少要求T1管基极电位2.1V,这里只有1V,是无法导通的。甚至连1.4V都没有,说明T2和T5同时截止。简化电路,把截止的管子画成开路,则有:

在这里插入图片描述
如果基极电流忽略不计,那么Y的电压为5-0.7-0.7=3.6V,是高电平。
当输入高电平3.6V时,T1e仍然能够导通,因此T1的基极电位应该是4.3V,根据之前的分析,此时T1c、T2、T5全部导通。全部导通之后,T1的基极电位就被钳位至2.1V了。通过正确设施电阻阻值,可以让此时T2处于饱和导通状态。在这里插入一个点,我们默认饱和导通压降为0.3V。因此从GND,经过T5的发射结,再经过T2的饱和压降,T4的基极电位约为1V,不能够同时打开T4和D2,所以总的来说,上拉通路是断开的。T5的集电结没有Vcc电压,那么T5工作在饱和区,输出Y的电压约为0.3V,是低电平。

电压传输特性

在这里插入图片描述
AB:截止区。ui<0.6V。此时T2、T5均截止,T4导通,R2上降落电压不计,输出基本稳定。
BC:线性区。0.7V<ui<1.3V。此时T2导通、T5截止,T4导通,R2上降落电压正比于T2发射极电流。随输入电压增高,输出电压线性下降。
CD:转折区。ui≈1.4V。此时T2、T5同时导通,T4从导通快速切换到截止,输出电平从上拉切换到下拉,迅速由高变低。
DE:饱和区。ui>1.4V,T5饱和导通,输出稳定在0.3V。

由此可见电压传输特性并不是方波形状的理想类型。因此还需要补充一下规则,也就是根据实际情况决定到底多少算高,多少算低。
阈值电压(门槛电压)UTH=1.4V。因为1.4V是转折区的电压值,向上向下,输出电压变化幅度都很大,容易分辨。

输入噪声容限

前面讲过数字电路稳定性这个问题。说数字原件是个好人。这里来具体解释一下。首先是“宽以待人”。在输入的时候,只要比阈值电压高,就认为输入高电平;反之输入低电平。不过看上图的CD段,还是横跨了一小段距离的,直接用1.4V肯定不够精准。
所以这里又引入了开门电平关门电平。观察输出,发现输出高还是低,主要取决于T5是否开启。因此以使得T5开启的输入电压为开门电平(Uon),使得T5关闭的输入电压为关门电平(Uoff)。
中速74系列门电路:Uon=2V; Uoff=0.8V
然后是“严于律己”。门电路认为输出2.4V以上才算高电平,输出0.4V以下才算低电平。
在这里插入图片描述
如果把两个门电路连起来,前一级的输出做后一级的输入,那么很明显发现还有一个富余量。比如输出0.4V低电平,受到一个0.4V的干扰,但下一级接收到的0.8V依然是低电平。
给各个电压值取了个名字,如图:
在这里插入图片描述
输入噪声容限就是UNL和UNH中比较大的那一个。

静态输入特性和输出特性

先挂一副图方便对照
在这里插入图片描述

输入伏安特性

在这里插入图片描述
首先看输入低电平的时候。

  • vI<0:电流主要来自D1,也就是保护管。
  • vI=0:电流方向:Vcc->R1->T1e->A。输入短路电流IIS=-4.3V/4kΩ=-1mA。(输入短路,T1基极电位0.7V,R1压降4.3V)
    因为输入低电平电流跟输入短路电流差不多,所以一般直接用这个值作为输入低电平的电流IIL
  • vI>1.4:电流从T1e流入。相当于二极管的反向电流,很小,不超过40微安。
输出特性

输出高电平:
在这里插入图片描述
对于输出点来看,电流流出,所以为-。由于T4的饱和程度逐渐变高以及R4上面的压降,总而言之曲线就长这样了。不过由于功率限制,实际高电平电流输出会小于5mA(还会小不少,一般IOHmax=0.4mA)。这个电流被称为拉电流,写作IOH

输出低电平:
在这里插入图片描述
对于输出节点来看,电流流入。由于基极电位逐渐升高,T5饱和程度逐渐变低,输出电压线性增高。一般取IOLmax=16mA。这个电流被称为灌电流,写作IOL

扇出系数

门电路驱动同类型门的个数

  • 当前一级输出高电平时,以拉电流工作,NOH=IOH/IIH
  • 当前一级输出低电平时,以灌电流工作,NOL=IOL/IIL
    扇出系数取两个值中比较小的那一个
输入端负载特性

如果我偏不好好输入,给输入端加一个电阻然后接地会怎么样呢?
在这里插入图片描述
首先明确电流方向。不管把T1看作三极管还是看作两个二极管,电流都一定是从Vcc->R1->Rp->GND的方向。因此根据输入端负载的分压可以写出输入电压的方程,如图右侧。
可知,当Rp很小时,分压也小,因此输入相当于低电平。当Rp大于某一个阈值,是的Ui大于1.4V,此时输入相当于高电平。

  • 开门电阻:Ron,一般取2.5K,Rp大于它时Ui为高电平
    输入端悬空相当于Rp无穷大,输入为高电平
  • 关门电阻:Roff,一般取1K,Rp小于它时Ui为低电平

注意:

  1. Ui不会无限制增高。当其达到1.4V时,T2T5导通,使得T1基极钳位至2.1V,进而Ui钳位至1.4V
  2. 虽然输入为高电平,但不可以按照输入伏安特性计算输入电流。因为电流始终是流出的。
动态特性
传输延迟时间

在这里插入图片描述
声明:正常情况下,一般以高低电平的平均值定义有效与无效。比如高电平3.6V,低电平0.3V,可以以1.95V为阈值,如果低电平变化超过这个值,认为低电平无效。
为了简化这个问题,我们以开始变化为无效。
输入变化后进入无效区,但是经过一段时间后输出才开始变化进入无效区。这一段延迟时间为tcd
当输入重新进入有效区,过了一段时间输出才进入有效区。这一段延迟时间为tpd

功耗

TTL电路主要功耗在静态功耗。但是动态工作是会出现尖峰电流。(也就是T4和T5同时处于过渡状态,电源和地之间连通)
(似乎这个不是很重要)

TTL与非门

讲到这里了,那么数电的叠叠乐就可以开始啦!再回顾一下开关与电灯泡。串连关系表示与,并联关系表示或。因此可以很轻松的得到其他类型的门电路啦。
在这里插入图片描述
然后就是当头一盆冷水。这里虽然多发射极是并联的关系,但是这里应用的是二极管与门(两个二极管共阳)

TTL或非门

在这里插入图片描述
这就是明显的并联关系了。A和B各是一套独立的非门,并联起来,就构成了或非门。

TTL与或非门

在这里插入图片描述
看个乐呵吧

扇出系数再回首

一个前一级门电路可以驱动多少个后一级。之前是针对非门,一个门,一个输入,一个输出,就可以规避掉门数和端数这个问题。那么现在再根据与非门、或非门来分析一下扇出系数。
这里都是把输入端短接在一起来处理的。也就是前级输出1,后级所有端都输入1.

与非门
  1. 前级输出低电平
    在这里插入图片描述
    后级每个端都输入低电平,所以输出应该为高电平,可以倒推出T2、T5截止,也就是图中红叉没有电流。那么根据基尔霍夫电流定律,不管有几个输入端,其电流和一定等于R1流过电流。也就是输入低电平时后级流出电流计算门的个数
  2. 前级输出高电平
    在这里插入图片描述 后级每个输入端都输入高电平。那么等效出来每一个二极管都是反偏。反偏的二极管有一份漏电流。也就是输入高电平时后级流入电流计算端的个数
或非门
  1. 前级输出低电平
    或非门主体是并联结构。每一个端对应了一个T1管,因此输入低电平时后级流出电流计算端的个数
  2. 前级输出高电平
    同理,输入高电平时后级流入电流计算端的个数

TTL异或门

在这里插入图片描述
略微分析一下异或门。
还是从与非门的结构讲起,我们发现异或门其实是把T2换成了T6T7并联。T6接的部分和与非门完全相同,T7接的部分和或非门相同,应用摩根定理可以知道这是异或关系。

OC门

在这里插入图片描述
OC门是一类门,这里展示的是一个OC与非门。

线与

先看结构,很明显就是把输出管T5的集电极开路了。这样门电路里面只有下拉部分而没有上拉部分。这样做是为了能够实现线与
所谓线与就是使用并联关系来表达与。
在这里插入图片描述
如果使用普通的门电路,可能会出现这种电源和地直接导通的情况。所以需要使用OC门,如图就没有这个问题了。OC门是没有上拉部分的所以需要自己补一个上拉电源和一个上拉电阻(蓝色部分)。
在这里插入图片描述

其他用途

除了线与之外,OC门还有这么几个用处:

  1. 电平转换
    如果门电路类型不一样,那么对于高低电平的定义也有可能不一样。OC门可以自定义上拉电源VCC所以可以完成电平转换,自定义高电平的电压值。
  2. 驱动负载
    逻辑信号很微弱不能驱动负载,但是OC门上拉部分可以接电源,输出到负载。
RL的选择

原则:不能太大,不能太小。
当输出高电平的时候,要保证RL上压降不能太大,输出要保证为高电平,且电流要足以驱动负载。需要计算流过RL电流的最大值
当输出低电平的时候,要保证电流不过大,保护门电路里的三极管,需要计算流入门电路电流的最大值
OC门不管输出高电平还是输出低电平,电流时钟都是从Y流入的「这里一定要注意,VCC和RL已经不是门电路里面的元件的,从这里留下来到Y,是流入的关系」。而输入端不受影响,仍然可以套用TTL反相器的输入特性。
在这里插入图片描述
如果换成或非门的话,m‘就也是端数了。至于为什么呢可以回看扇出系数再回首的部分

三态门

TS门(Three state)。正常的门电路只有两种状态,0和1,不管处于哪种状态,都是相当于输出,也就是连接在电路里的。但有时候我们不需要某一个门电路工作,对于分立原件当然可以很方便的加一个开关,断开物理连接就可以了,而对于集成电路,可以使用三态门
在这里插入图片描述
稍微分析一下:
当G’=0时,经过反相器得高电平因此D截止,对于与非门,这里输入的一个高电平不影响AB与非的结果
当G’=1时,经过反相器得低电平因此D导通,将D的阳极钳位至低电平,因此T3、T4截止。同时由于与非门输入一个低电平,T2、T5截止。此时输出F相当于悬空,也就是高阻状态。
高阻状态的门电路,虽然物理上是连接的,但实际上并没有电气连接,就相当于“断开”了。
看三态门的逻辑符号,输入EN’为低电平有效,输入EN就为高电平有效。有效的意思是正常工作,无效表示高阻。
「注意」:高阻不是逻辑状态

LSTTL门电路

TTL门电路有很多不同的系列,首先分74和54,也就是民用和军用。然后又有H、S、LS、AS、ALS等等子系列。使用最多的LS系列,也就是低功耗肖特基系列。
啊现在是CMOS的天下就不介绍了吧。或许哪天有空再补上。

CMOS门电路

在这里插入图片描述
再来回顾一下这幅图。之前是用三极管充当这两个开关。那么把三极管换成MOS管可不可以呢?当然可以了。

CMOS反相器

先看电路:
在这里插入图片描述

原理分析

PMOS的源极接VDD,所以当栅极输入一个低电平时满足导通条件,也就是输入低电平,上拉部分导通,输出高电平。
NMOS的源极接地,所以当栅极输入一个高电平时满足导通条件,也就是输入高电平,下拉部分导通,输出低电平。

电压传输特性

在这里插入图片描述
实际上输出电路可以等效成这个模型。输出特性曲线非常理想,所以也不分什么段了。可以直接按照理想元器件处理。
这里讲一下Uth的确定。不像TTL电路,由于PN结的导通特性因此定义出阈值电压为1.4V。可以看到,即使两个管子都导通,仍然可能使得输出处于高质量的01范围中。如果以高电平和低电平的1/2处作为分界,那么也就是上拉电阻和下拉电阻阻值相等。也就是要求两个管子导通情况相同。也就是|VGS1|=|VGS2|,简单列个式子不难算出Uth=1/2VDD
在这里插入图片描述

电流传输特性

在这里插入图片描述
AB、DE段:有一个管子截止,相当于开路,因此输出电流为0
BC、CD段:两个管子同时导通,形成通路。
C点:处于Uth时,两个管子等效电阻相等,总电阻最小,电流最大,形成一个尖峰电流。

输入端噪声容限

1/2VDD
因为输出质量很高,因此只要比阈值电压稍微偏差一点,就能输出高质量的01了

静态输入输出特性
输入伏安特性

虽然说MOS管栅极开路,但实际应用中,为了保护栅极绝缘层,防止击穿,会外加保护电路。因此输入伏安特性,实际就是保护电路的伏安特性。
在这里插入图片描述
保护电路除了保护栅极绝缘层以外,还可以限制栅源电压,加快两个等效电容的充放电,有助于提高工作速度。

输出特性

在这里插入图片描述
我们会惊喜的发现输出特性和上拉电源电压有关。以输出低电平为例。此时应该输入一个高电平,假设输入VDD的话,UGSN=VDD根据绝缘栅型场效应管的物理特性,UGS越大,导电沟道越宽,等效电阻越小,因此分压越少,输出的低电平质量越高。
输出高电平也是一样的道理。

动态特性
传输延迟时间

似乎和TTL电路没有太大的区别。还是tpd tcd那些事。不过这里传输延迟时间主要是负载电容充放电引起的。

动态功耗

静态功耗可以忽略不计。
动态功耗分为两个部分,分别是导通功耗负载功耗
导通功耗是指两个管子同时导通时,产生的尖峰电流对应的功耗。计算方法如下:
在这里插入图片描述
不过正常情况下,厂家会以功耗电容CPD的形式来表示导通功耗,这样以来计算公式变成:
在这里插入图片描述
负载功耗就好理解了,门电路的负载我们认为也是门电路。那么就可以等效为输入电容。当然在这里就是负载电容了。计算方法和使用功耗电容计算导通功耗是一样的:
在这里插入图片描述

交流噪声容限

跟输入噪声容限有一点点区别,那就是这个噪声容限是局限于交流干扰的。因为输入可以等效成电容,所以对于交流干扰,作用时间越短,容限越大。同时,由于阈值电压和输入噪声容限都与VDD有关,可知电源电压越高,容限越大。
在这里插入图片描述

其他逻辑功能的CMOS门电路

基本思路:串连实验与,并联实现或。确定上拉或下拉的一个部分,另一个部分取反。

CMOS与非门

全1出0,否则出1。下拉部分串连,上拉部分并联。
在这里插入图片描述

CMOS或非门

全0出1,否则出0。上拉部分串连,下拉部分并联。
在这里插入图片描述

带缓冲级的CMOS门电路

为什么要缓冲级啊。就近原则以或非门为例。
当输出高电平时,需要跨越两个管子,带来2倍等效内阻。但如果输出低电平,有可能两个管子都导通,0.5倍内阻。也有可能导通一个,1倍内阻。
输出电阻、输出特性和输入的情况直接相关,导致输出高低电平的质量参差不齐。这是不行的。
怎么办呢?牢记数字器件是个好人,输入低质量没关系,输出高质量就行。所以用反相器把门电路包起来。

首先介绍一种MOS管的简便画法
在这里插入图片描述
与非门:
在这里插入图片描述
或非门:
在这里插入图片描述

OD门

实际使用的门电路都是有缓冲级的,所以开漏也不需要动里面的东西,只需要把最后输出级的上拉MOS管开路就可以了。
在这里插入图片描述
同样存在RL的选取问题
在这里插入图片描述
基本思路甚至计算公式都是和TTL的OC门相同的。唯一的不同点在于,CMOS电路的输入特性来自保护电路,而每一个输入端对应了一个保护电路,因此会产生一份电流。这里就不再区分门或者端了,全部都使用端数计算。

CMOS传输门

在这里插入图片描述
结构就是这么个结构。说白了就是一个开关,通过控制端来控制导通和断开。(其实一个管子就够了,但CMOS的精髓就在于PMOS和NMOS成对出现所以还是用了两个)
当C=1,C’=0时,两个管子都导通,传输门导通。
当C=0,C’=1时,两个管子都截止,传输门截止。

双向模拟开关

是传输门的一个用途。传输门导通的时候相当于导线,不止可以传输数字信号,也可以传输模拟信号。(所以传输门并不算严谨的数字器件,因为不具备接收低质量01输出高质量01的能力)
在这里插入图片描述
为了简化控制,把C和C’通过反相器,简化成一个输入。对应的依然是C=1,C’=0和C=0,C’=1两种状态。

三态输出门

其实就是一个三态非门:
在这里插入图片描述
当EN’=1的时候,根据逻辑运算可以推导出两个MOS管都截止,输出Y相当于悬空高阻。
如果EN’=0,这就回归到一个非门了。有点像之前的传输门,但是它是一个严谨的数字器件,不会输出模拟信号。

CMOS电路的输入端负载特性

虽然写了这么大一个标题但就两句话。
CMOS输入端不允许悬空。
CMOS输入端电流近似为0——接电源或者接地,不管电阻多大都可以认为不降落电压。

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